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IRF7380TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7380TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète31K2220
Mise en bobine73R1193RL
Bandes découpées73R1193
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001574936
Votre numéro de pièce
3 037 En Stock
3 037 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,550 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 2,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,200 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 100+ | 0,922 $ |
| 250+ | 0,822 $ |
| 500+ | 0,723 $ |
| 1000+ | 0,657 $ |
| 2500+ | 0,604 $ |
| 5000+ | 0,592 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,550 $ |
| 12000+ | 0,494 $ |
| 20000+ | 0,484 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7380TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète31K2220
Mise en bobine73R1193RL
Bandes découpées73R1193
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001574936
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel3.6A
Continuous Drain Current Id P Channel3.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.061ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.061ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.061ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.061ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit