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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,110 $ | 15,55 $ |
| Total Prix | 15,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,110 $ |
| 10+ | 1,570 $ |
| 15+ | 1,520 $ |
| 25+ | 1,450 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 125+ | 1,330 $ |
| 250+ | 1,300 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 1,050 $ |
| 8000+ | 1,010 $ |
| 12000+ | 0,976 $ |
| 20000+ | 0,956 $ |
| 40000+ | 0,937 $ |
| 100000+ | 0,917 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7493TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5382
Mise en bobine13AC9202RL
Bandes découpées13AC9202
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
On Resistance Rds(on)0.0115ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.3A
On Resistance Rds(on)
0.0115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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