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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7769L1TRPBFCopie
Code Commande13AC9205
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id375A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
375A
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit