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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7820TRPBF
Code Commande99AC3985
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.078ohm
On Resistance Rds(on)0.0625ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
On Resistance Rds(on)
0.0625ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit