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IRF7907TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5390
Mise en bobine13AC9211RL
Bandes découpées13AC9211
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
9 344 En Stock
9 344 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,730 $ | 2,73 $ |
| Total Prix | 2,73 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,730 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,280 $ |
| 250+ | 1,170 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,556 $ |
| 8000+ | 0,529 $ |
| 16000+ | 0,509 $ |
| 24000+ | 0,502 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5390
Mise en bobine13AC9211RL
Bandes découpées13AC9211
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel11A
Continuous Drain Current Id P Channel11A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0098ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0098ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Dual N-channel HEXFET® power MOSFET for POL converters in notebook computers, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Low gate charge
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Improved body diode reverse recovery
- 100% tested for RG
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
11A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0098ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
11A
Continuous Drain Current Id N Channel
11A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0098ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit