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IRF8010PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,770 $ |
| 10+ | 2,590 $ |
| 100+ | 2,280 $ |
| 500+ | 1,880 $ |
| 1000+ | 1,700 $ |
| 3000+ | 1,670 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF8010PBFCopie
Code Commande38K2853
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd260W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRF8010PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rating
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
260W
Power Dissipation
260W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit