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IRF9362TRPBF
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9362TRPBF
Code Commande79R7564
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001555840
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,380 $ |
| 10+ | 0,930 $ |
| 25+ | 0,922 $ |
| 50+ | 0,776 $ |
| 100+ | 0,630 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,90 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9362TRPBF
Code Commande79R7564
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001555840
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.017ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.017ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF9362TRPBF is a HEXFET® dual P-channel Power MOSFET for use with charge and discharge switch for notebook PC battery applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Industry standard package for multi-vendor compatibility
- Halogen-free
Applications
Computers & Computer Peripherals, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.017ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.017ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit