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IRF9389TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 6.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9389TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine91Y4762
Bandes découpées91Y4762
Gamme de produitHEXFET Series
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,864 $ | 0,86 $ |
| Total Prix | 0,86 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,864 $ |
| 10+ | 0,720 $ |
| 25+ | 0,648 $ |
| 50+ | 0,586 $ |
| 100+ | 0,513 $ |
| 250+ | 0,462 $ |
| 500+ | 0,383 $ |
| 1000+ | 0,372 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9389TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine91Y4762
Bandes découpées91Y4762
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6.8A
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high and low sides switches for inverter, high and low side switches for generic half bridge.
- High-side P-channel MOSFET
- Industry-standard pinout
- Compatible with existing surface mount technique
- Increased power density
- Easier drive circuitry
- Multi-vendor compatibility
- Easier manufacturing
- Environmentally friendlier
- Increased reliability
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit