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IRF9389TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 6.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9389TRPBF
Code Commande91Y4762
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
479 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,793 $ |
| 10+ | 0,555 $ |
| 25+ | 0,522 $ |
| 50+ | 0,487 $ |
| 100+ | 0,454 $ |
| 250+ | 0,451 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,79 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF9389TRPBF
Code Commande91Y4762
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6.8A
Continuous Drain Current Id N Channel6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRF9389TRPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high and low sides switches for inverter, high and low side switches for generic half bridge.
- High-side P-channel MOSFET
- Industry-standard pinout
- Compatible with existing surface mount technique
- Increased power density
- Easier drive circuitry
- Multi-vendor compatibility
- Easier manufacturing
- Environmentally friendlier
- Increased reliability
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.022ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit