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Quantité | Prix |
---|---|
10+ | 3,160 $ |
100+ | 2,600 $ |
500+ | 2,120 $ |
1000+ | 1,980 $ |
3000+ | 1,890 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB4115PBF.
Code Commande27AC6766
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id104A
On Resistance Rds(on)0.0093ohm
Drain Source On State Resistance0.0093ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd380W
Rds(on) Test Voltage20V
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The IRFB4115PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Halogen-free
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0093ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Drain Source On State Resistance
0.0093ohm
Power Dissipation Pd
380W
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit