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IRFB4227PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRFB4227PBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
| Code Commande | 66K6432 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
3 566 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,880 $ |
| 10+ | 3,850 $ |
| 100+ | 2,700 $ |
| 500+ | 2,210 $ |
| 1000+ | 2,170 $ |
| 2500+ | 2,130 $ |
| 5000+ | 2,090 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,88 $
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRFB4227PBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
| Code Commande | 66K6432 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 200V |
| Continuous Drain Current Id | 65A |
| On Resistance Rds(on) | 0.0197ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.024ohm |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 330W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Power Dissipation | 330W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | HEXFET Series |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRFB4227PBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 200V |
| On Resistance Rds(on) | 0.0197ohm |
| Transistor Case Style | TO-220AB |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | HEXFET Series |
| MSL | - |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 65A |
| Drain Source On State Resistance | 0.024ohm |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Power Dissipation Pd | 330W |
| Power Dissipation | 330W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |