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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB52N15DPBFCopie
Code Commande63J6721
Egalement appeléSP001572332
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB52N15DPBFCopie
Code Commande63J6721
Egalement appeléSP001572332
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd320W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation320W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour IRFB52N15DPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IRFB52N15DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters and plasma display panel.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
Applications
Power Management, Consumer Electronics
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
320W
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
