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IRFB7730PBF
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 75 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | 3,920 $ |
| 25+ | 3,720 $ |
| 50+ | 3,590 $ |
| 100+ | 3,510 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB7730PBF
Code Commande31Y2058
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id195A
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd375mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFB7730PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. The StrongIRFET™ power MOSFET is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
375mW
Power Dissipation
375mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit