Imprimer la page
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,841 $ |
| 8000+ | 0,805 $ |
| 16000+ | 0,786 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
3 364,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH5015TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande65R4957
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001575670
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.6W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation3.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFH5015TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers industry standard pin-out for multi-vendor compatibility. It is suitable for secondary side synchronous rectification and DC-to-DC brick applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Low RDS (ON) (<lt/>31mΩ) results in low conduction losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>0.8°C/W) results in increased power density
- 100% Rg tested for increased reliability
- Halogen-free
- Industrial qualification MSL-1 (increased reliability)
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.6W
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit

