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IRFH8324TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, PQFN, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH8324TRPBF
Code Commande
Mise en bobine13AC9113
Bandes découpées13AC9113
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 375 En Stock
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Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,944 $ |
| 10+ | 0,851 $ |
| 25+ | 0,802 $ |
| 50+ | 0,757 $ |
| 100+ | 0,718 $ |
| 250+ | 0,712 $ |
| 500+ | 0,704 $ |
| 1000+ | 0,697 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH8324TRPBF
Code Commande
Mise en bobine13AC9113
Bandes découpées13AC9113
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation Pd54W
Power Dissipation54W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
54W
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit