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IRFHM3911TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 20 A, 0.115 ohm, PQFN, Surface Mount
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2 397 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,210 $ | 1,21 $ |
| Total Prix | 1,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,210 $ |
| 50+ | 0,751 $ |
| 100+ | 0,486 $ |
| 250+ | 0,429 $ |
| 500+ | 0,371 $ |
| 1000+ | 0,334 $ |
| 2500+ | 0,302 $ |
| 5000+ | 0,297 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFHM3911TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine45X9495RL
Bandes découpées45X9495
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001575850
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd29W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation29W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation Pd
29W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
29W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit