Imprimer la page
IRFL024ZTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
13 197 En Stock
13 197 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,850 $ | 1,85 $ |
| Total Prix | 1,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,850 $ |
| 50+ | 0,922 $ |
| 100+ | 0,830 $ |
| 250+ | 0,751 $ |
| 500+ | 0,670 $ |
| 1000+ | 0,656 $ |
| 2500+ | 0,644 $ |
| 5000+ | 0,630 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,563 $ |
| 7500+ | 0,512 $ |
| 12500+ | 0,502 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFL024ZTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5294
Mise en bobine13AC9116RL
Bandes découpées13AC9116
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source On State Resistance0.0575ohm
On Resistance Rds(on)0.0462ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.8W
Power Dissipation2.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- 150°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0575ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.8W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.0462ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit