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IRFL4105TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223
28 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,750 $ | 1,75 $ |
| Total Prix | 1,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,750 $ |
| 50+ | 1,140 $ |
| 100+ | 0,795 $ |
| 250+ | 0,721 $ |
| 500+ | 0,648 $ |
| 1000+ | 0,599 $ |
| 2500+ | 0,524 $ |
| 5000+ | 0,511 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFL4105TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9117RL
Bandes découpées13AC9117
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id5.2A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.1W
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit