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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFL4105TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine13AC9117RL
Bandes découpées13AC9117
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.1W
Power Dissipation Pd2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit