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IRFP1405PBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 160 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Through Hole
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP1405PBF
Code Commande38K2555
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id160A
Drain Source On State Resistance5300µohm
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd310W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRFP1405PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
5300µohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
310W
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit