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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP4127PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande34AC1747
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd341W
Power Dissipation341W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
341W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit