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IRFP7530PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP7530PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande43X7227
Egalement appeléSP001560520
Votre numéro de pièce
1 123 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,260 $ |
| 10+ | 3,590 $ |
| 25+ | 3,370 $ |
| 50+ | 3,160 $ |
| 100+ | 2,940 $ |
| 250+ | 2,780 $ |
| 800+ | 2,600 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,26 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP7530PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande43X7227
Egalement appeléSP001560520
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id195A
Drain Source On State Resistance0.002ohm
On Resistance Rds(on)0.00165ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd341W
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation341W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRFP7530PBF
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Aperçu du produit
The IRFP7530PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.002ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
195A
On Resistance Rds(on)
0.00165ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
341W
Power Dissipation
341W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit