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IRFR1018ETRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-252AA, Surface Mount
4 701 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,770 $ | 2,77 $ |
| Total Prix | 2,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,770 $ |
| 10+ | 1,850 $ |
| 25+ | 1,670 $ |
| 50+ | 1,480 $ |
| 100+ | 1,300 $ |
| 250+ | 1,180 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR1018ETRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9119
Bandes découpées13AC9119
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.0084ohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0084ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRFR1018ETRPBF
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit