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IRFR3607TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 56 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR3607TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine25R3336
Bandes découpées25R3336
Egalement appeléSP001567010
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,190 $ | 3,19 $ |
| Total Prix | 3,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,190 $ |
| 10+ | 2,130 $ |
| 25+ | 1,920 $ |
| 50+ | 1,710 $ |
| 100+ | 1,520 $ |
| 250+ | 1,390 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR3607TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine25R3336
Bandes découpées25R3336
Egalement appeléSP001567010
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.00734ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd140W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR3607TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance and avalanche SOA. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.00734ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
140W
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit