Imprimer la page
IRFR3910TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR3910TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine39M3554
Bandes découpées39M3554
Egalement appeléSP001560674
Votre numéro de pièce
1 496 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 4-6 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,450 $ | 12,25 $ |
| Total Prix | 12,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,450 $ |
| 10+ | 1,560 $ |
| 25+ | 1,390 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
| 100+ | 1,040 $ |
| 250+ | 0,953 $ |
| 500+ | 0,872 $ |
| 1000+ | 0,797 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR3910TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine39M3554
Bandes découpées39M3554
Egalement appeléSP001560674
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
On Resistance Rds(on)0.115ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd79W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
79W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IRFR3910TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit