Imprimer la page
IRFR4615TRLPBF
Power MOSFET, HEXFET®, N Channel, 150 V, 33 A, 42 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 075 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,200 $ | 16,00 $ |
| Total Prix | 16,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,200 $ |
| 10+ | 2,050 $ |
| 25+ | 1,820 $ |
| 50+ | 1,620 $ |
| 100+ | 1,380 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR4615TRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine39T2036
Bandes découpées39T2036
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001560646
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd144W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation144W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR4615TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and Avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
144W
Power Dissipation
144W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit