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IRFR5505TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5505TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète38AH8478
Bobine complète99AK9906
Mise en bobine40M7905RL
Bandes découpées40M7905
Egalement appeléSP001573294
Votre numéro de pièce
57 416 En Stock
57 416 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,330 $ | 2,33 $ |
| Total Prix | 2,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,330 $ |
| 50+ | 1,290 $ |
| 100+ | 1,070 $ |
| 250+ | 0,983 $ |
| 500+ | 0,896 $ |
| 1000+ | 0,834 $ |
| 2500+ | 0,780 $ |
| 5000+ | 0,747 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,650 $ |
| 6000+ | 0,623 $ |
| 10000+ | 0,566 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR5505TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète38AH8478
Bobine complète99AK9906
Mise en bobine40M7905RL
Bandes découpées40M7905
Egalement appeléSP001573294
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd57W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR5505TRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Halogen-free
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
57W
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRFR5505TRPBF
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit