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IRFR5505TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRFR5505TRPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | Bobine complète99AK9906 Mise en bobine40M7905RL Bandes découpées40M7905 |
| Egalement appelé | SP001573294 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
54 456 En Stock
54 456 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,550 $ | 2,55 $ |
| Total Prix | 2,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,550 $ |
| 50+ | 1,310 $ |
| 100+ | 1,190 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
| 500+ | 0,973 $ |
| 1000+ | 0,953 $ |
| 2500+ | 0,934 $ |
| 5000+ | 0,914 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,858 $ |
| 4000+ | 0,821 $ |
| 6000+ | 0,784 $ |
| 10000+ | 0,768 $ |
| 20000+ | 0,753 $ |
| 50000+ | 0,737 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRFR5505TRPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
| Code Commande | Bobine complète99AK9906 Mise en bobine40M7905RL Bandes découpées40M7905 |
| Egalement appelé | SP001573294 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | P Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 55V |
| Continuous Drain Current Id | 18A |
| On Resistance Rds(on) | 0.11ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.11ohm |
| Transistor Case Style | TO-252AA |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 57W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Power Dissipation | 57W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRFR5505TRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Halogen-free
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 55V |
| On Resistance Rds(on) | 0.11ohm |
| Transistor Case Style | TO-252AA |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 18A |
| Drain Source On State Resistance | 0.11ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 57W |
| Power Dissipation | 57W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRFR5505TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |