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IRFR6215TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR6215TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine40M7906RL
Bandes découpées40M7906
Egalement appeléSP001571562
Votre numéro de pièce
6 406 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,070 $ | 3,07 $ |
| Total Prix | 3,07 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,070 $ |
| 50+ | 1,600 $ |
| 100+ | 1,460 $ |
| 250+ | 1,330 $ |
| 500+ | 1,200 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,150 $ |
| 5000+ | 1,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR6215TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine40M7906RL
Bandes découpées40M7906
Egalement appeléSP001571562
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.295ohm
On Resistance Rds(on)0.295ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR6215TRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.295ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.295ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits