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IRFR9120NTRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR9120NTRLPBF
Code Commande
Mise en bobine34AC1752
Bandes découpées34AC1752
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 855 En Stock
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,350 $ |
| 10+ | 1,330 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,220 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 250+ | 1,120 $ |
| 500+ | 1,080 $ |
| 1000+ | 0,985 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR9120NTRLPBF
Code Commande
Mise en bobine34AC1752
Bandes découpées34AC1752
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.48ohm
Drain Source On State Resistance0.48ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.48ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit