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IRFR9120NTRPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR9120NTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine40M7907RL
Bandes découpées40M7907
Egalement appeléSP001557182
Votre numéro de pièce
7 566 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,360 $ | 2,36 $ |
| Total Prix | 2,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,360 $ |
| 50+ | 1,760 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
| 500+ | 0,937 $ |
| 1000+ | 0,870 $ |
| 2500+ | 0,788 $ |
| 5000+ | 0,772 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFR9120NTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine40M7907RL
Bandes découpées40M7907
Egalement appeléSP001557182
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.48ohm
On Resistance Rds(on)0.48ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRFR9120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.48ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit