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IRFS4127TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,130 $ | 2,13 $ |
| Total Prix | 2,13 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,130 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS4127TRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine13AC9156
Bandes découpées13AC9156
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.0186ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
On Resistance Rds(on)
0.0186ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit