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IRFS4229TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
1 543 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,550 $ | 7,55 $ |
| Total Prix | 7,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,550 $ |
| 10+ | 5,050 $ |
| 25+ | 4,670 $ |
| 50+ | 4,300 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS4229TRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC3281
Bandes découpées43AC3281
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id45A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd330W
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® Power MOSFET is specially designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panel. It features low EPULSE rating to reduce power dissipation in PDP sustain, energy recovery and pass switch applications.
- Advanced process technology
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall & rise times for fast switching
- 175°C operating junction temperature for improved ruggedness
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
330W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit