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IRFS4310ZTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS4310ZTRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5335
Mise en bobine13AC9159RL
Bandes découpées13AC9159
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
396 En Stock
396 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,530 $ | 4,53 $ |
| Total Prix | 4,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,530 $ |
| 50+ | 3,120 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 250+ | 2,310 $ |
| 500+ | 2,170 $ |
| 1000+ | 1,890 $ |
| 2500+ | 1,850 $ |
| 5000+ | 1,820 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 2,390 $ |
| 2400+ | 2,210 $ |
| 4000+ | 2,140 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS4310ZTRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5335
Mise en bobine13AC9159RL
Bandes découpées13AC9159
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0048ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0048ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit