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IRFS4410ZTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 97 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,500 $ | 4,50 $ |
| Total Prix | 4,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,500 $ |
| 50+ | 3,070 $ |
| 100+ | 2,360 $ |
| 250+ | 2,140 $ |
| 500+ | 1,920 $ |
| 1000+ | 1,820 $ |
| 2500+ | 1,780 $ |
| 5000+ | 1,750 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 2,200 $ |
| 2400+ | 2,020 $ |
| 4000+ | 1,950 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFS4410ZTRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5337
Mise en bobine13AC9161RL
Bandes découpées13AC9161
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id97A
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
Power Dissipation Pd230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
97A
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit