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IRL40SC209
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL40SC209Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5435
Mise en bobine93AC7147RL
Bandes découpées93AC7147
Gamme de produitStrongIRFET Series
Votre numéro de pièce
745 En Stock
745 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,620 $ | 7,62 $ |
| Total Prix | 7,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,620 $ |
| 50+ | 4,480 $ |
| 100+ | 4,190 $ |
| 250+ | 4,100 $ |
| 500+ | 4,020 $ |
| 1000+ | 3,930 $ |
| 2500+ | 3,850 $ |
| 5000+ | 3,770 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 3,930 $ |
| 2400+ | 3,720 $ |
| 4000+ | 3,650 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRL40SC209Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5435
Mise en bobine93AC7147RL
Bandes découpées93AC7147
Gamme de produitStrongIRFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id478A
On Resistance Rds(on)600µohm
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
600µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
478A
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit