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IRLML0060TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML0060TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète99AK9910
Mise en bobine60R6446RL
Bandes découpées60R6446
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001568948
Votre numéro de pièce
167 019 En Stock
167 019 disponibles sur {packagingType}
6 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,826 $ | 0,83 $ |
| Total Prix | 0,83 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,826 $ |
| 50+ | 0,398 $ |
| 100+ | 0,356 $ |
| 250+ | 0,319 $ |
| 500+ | 0,281 $ |
| 1000+ | 0,276 $ |
| 2500+ | 0,270 $ |
| 5000+ | 0,265 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,288 $ |
| 18000+ | 0,274 $ |
| 30000+ | 0,248 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML0060TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète99AK9910
Mise en bobine60R6446RL
Bandes découpées60R6446
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001568948
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.092ohm
On Resistance Rds(on)0.078ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRLML0060TRPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET for load/system switch.
- Industry Standard Pinout
- MSL1, Industrial Qualification
- Multi-vendor Compatibility
- Environmentally-friendly
- Surface Mount
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.092ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit