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IRLML2060TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRLML2060TRPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 34 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine65R4984RL Bandes découpées65R4984 |
| Egalement appelé | SP001578644 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
29 501 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,595 $ | 0,60 $ |
| Total Prix | 0,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,595 $ |
| 50+ | 0,284 $ |
| 100+ | 0,253 $ |
| 250+ | 0,225 $ |
| 500+ | 0,197 $ |
| 1000+ | 0,193 $ |
| 2500+ | 0,189 $ |
| 5000+ | 0,186 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRLML2060TRPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 34 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine65R4984RL Bandes découpées65R4984 |
| Egalement appelé | SP001578644 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Continuous Drain Current Id | 1.2A |
| On Resistance Rds(on) | 0.356ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.48ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 3.6W |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.5V |
| Power Dissipation | 1.25W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRLML2060TRPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with lower switch losses and increased reliability. Compatible with existing surface mount techniques.
- Industry-standard pinout
- MSL1, Consumer qualification
- Environment-friendly
- Increased reliability
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| On Resistance Rds(on) | 0.356ohm |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation Pd | 3.6W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.5V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 1.2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.48ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation | 1.25W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (1)
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2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |