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IRLML6346TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6346TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète25T5503
Mise en bobine25T5502RL
Bandes découpées25T5502
Egalement appeléSP001578770
Votre numéro de pièce
47 238 En Stock
47 238 disponibles sur {packagingType}
66 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,664 $ | 0,66 $ |
| Total Prix | 0,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,664 $ |
| 50+ | 0,317 $ |
| 100+ | 0,282 $ |
| 250+ | 0,252 $ |
| 500+ | 0,220 $ |
| 1000+ | 0,215 $ |
| 2500+ | 0,211 $ |
| 5000+ | 0,207 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,185 $ |
| 12000+ | 0,163 $ |
| 18000+ | 0,160 $ |
| 30000+ | 0,156 $ |
| 60000+ | 0,153 $ |
| 150000+ | 0,151 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLML6346TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète25T5503
Mise en bobine25T5502RL
Bandes découpées25T5502
Egalement appeléSP001578770
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.4A
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRLML6346TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET for use with battery protection, DC switches, high side and low side load switch. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Halogen-free
- Consumer qualification MSL-1 (increased reliability)
- Industry standard pin-out
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.4A
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits