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IRLR3705ZTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 42 A, 0.008 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR3705ZTRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine42Y0442
Bandes découpées42Y0442
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,380 $ | 3,38 $ |
| Total Prix | 3,38 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,380 $ |
| 10+ | 2,170 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,690 $ |
| 100+ | 1,450 $ |
| 250+ | 1,300 $ |
| 500+ | 1,150 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR3705ZTRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine42Y0442
Bandes découpées42Y0442
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id42A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd130W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRLR3705ZTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Logic level
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
130W
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit