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IRLR8726TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 86 A, 0.0058 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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10 131 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,340 $ | 1,34 $ |
| Total Prix | 1,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,340 $ |
| 50+ | 0,899 $ |
| 100+ | 0,625 $ |
| 250+ | 0,565 $ |
| 500+ | 0,506 $ |
| 1000+ | 0,467 $ |
| 2500+ | 0,425 $ |
| 5000+ | 0,391 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,683 $ |
| 12000+ | 0,633 $ |
| 20000+ | 0,605 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR8726TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5426
Mise en bobine13AC9245RL
Bandes découpées13AC9245
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source On State Resistance5800µohm
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Suitable for high frequency synchronous buck converters for computer processor power
- Suitable for high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use
- Very Low RDS at 4.5V GS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterised avalanche voltage and current
- Lead free
- RoHS compliant
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5800µohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
75W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
86A
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit