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IRLR9343TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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3 823 En Stock
3 823 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,000 $ | 3,00 $ |
| Total Prix | 3,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,000 $ |
| 50+ | 1,540 $ |
| 100+ | 1,400 $ |
| 250+ | 1,280 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,140 $ |
| 2500+ | 1,110 $ |
| 5000+ | 1,090 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,928 $ |
| 18000+ | 0,910 $ |
| 30000+ | 0,890 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR9343TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5428
Mise en bobine13AC9248RL
Bandes découpées13AC9248
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
On Resistance Rds(on)0.093ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd79W
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Digital audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications
- Advanced process technology
- Low RDSON for improved efficiency
- Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
- Low Qrr for better THD and lower EMI
- 175°C operating junction temperature for ruggedness
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
79W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit