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IRLZ34NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 35 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,560 $ | 2,56 $ |
| Total Prix | 2,56 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,560 $ |
| 10+ | 1,770 $ |
| 25+ | 1,590 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 250+ | 1,070 $ |
| 500+ | 0,909 $ |
| 1600+ | 0,826 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLZ34NSTRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine64AH3720
Bandes découpées64AH3720
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Drain Source On State Resistance35mohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation68W
Power Dissipation Pd68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit