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ISC028N04NM5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Surface Mount
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Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,090 $ | 2,09 $ |
| Total Prix | 2,09 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,090 $ |
| 50+ | 1,400 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,911 $ |
| 1000+ | 0,815 $ |
| 2500+ | 0,759 $ |
| 5000+ | 0,735 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC028N04NM5ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine91AH7702RL
Bandes découpées91AH7702
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id121A
Drain Source On State Resistance2100µohm
On Resistance Rds(on)0.0021ohm
Transistor Case StyleTDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Case Style
TDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
75W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
121A
On Resistance Rds(on)
0.0021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit