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ISC0802NLSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 A, 3600 µohm, TDSON, Surface Mount
692 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,530 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,65 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISC0802NLSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande68AJ1741
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance3600µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit