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969 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,334 $ |
10+ | 0,209 $ |
25+ | 0,173 $ |
50+ | 0,138 $ |
100+ | 0,102 $ |
250+ | 0,098 $ |
500+ | 0,092 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,67 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantISS55EP06LMXTSA1
Code Commande42AH1868
Gamme de produitOptiMOS
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id180mA
Drain Source On State Resistance5.5ohm
On Resistance Rds(on)4.344ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd400mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
On Resistance Rds(on)
4.344ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour ISS55EP06LMXTSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits