Imprimer la page
SPA06N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA06N80C3XKSA1
Code Commande62M0113
Egalement appeléSPA06N80C3, SP000216302
Fiche technique
45 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,870 $ |
| 10+ | 2,080 $ |
| 100+ | 1,640 $ |
| 500+ | 1,380 $ |
| 1000+ | 1,190 $ |
| 2500+ | 1,130 $ |
| 5000+ | 1,090 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,87 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA06N80C3XKSA1
Code Commande62M0113
Egalement appeléSPA06N80C3, SP000216302
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
On Resistance Rds(on)0.78ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd39W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SPA06N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Fully isolated package
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Applications
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.78ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Power Dissipation Pd
39W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SPA06N80C3XKSA1
1 produit trouvé
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits