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SPA17N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA17N80C3XKSA1
Code Commande98K0553
Egalement appeléSPA17N80C3, SP000216353
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,950 $ |
| 10+ | 4,090 $ |
| 25+ | 3,230 $ |
| 50+ | 3,150 $ |
| 100+ | 3,060 $ |
| 250+ | 2,810 $ |
| 500+ | 2,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,95 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPA17N80C3XKSA1
Code Commande98K0553
Egalement appeléSPA17N80C3, SP000216353
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd42W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The SPA17N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Periodic avalanche rated
- Ultra low effective capacitance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Worldwide best RDS (ON)
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
Applications
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
42W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit