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SPB20N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB20N60C3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6351
Mise en bobine98K0554RL
Bandes découpées98K0554
Egalement appeléSPB20N60C3, SP000013520
Votre numéro de pièce
3 253 En Stock
3 253 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,380 $ | 6,38 $ |
| Total Prix | 6,38 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,380 $ |
| 50+ | 4,210 $ |
| 100+ | 2,970 $ |
| 250+ | 2,760 $ |
| 500+ | 2,550 $ |
| 1000+ | 2,490 $ |
| 2500+ | 2,450 $ |
| 5000+ | 2,390 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,450 $ |
| 3000+ | 2,250 $ |
| 5000+ | 2,210 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB20N60C3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6351
Mise en bobine98K0554RL
Bandes découpées98K0554
Egalement appeléSPB20N60C3, SP000013520
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.7A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd208W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SPB20N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- Periodic avalanche rated
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Applications
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
208W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SPB20N60C3ATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit