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SPB80P06PGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 80 A, 23 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB80P06PGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine47W3754
Bandes découpées47W3754
Egalement appeléSPB80P06P G, SP000096088
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,860 $ | 6,86 $ |
| Total Prix | 6,86 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,860 $ |
| 10+ | 4,520 $ |
| 25+ | 4,100 $ |
| 50+ | 3,660 $ |
| 100+ | 3,210 $ |
| 250+ | 2,990 $ |
| 500+ | 2,770 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPB80P06PGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine47W3754
Bandes découpées47W3754
Egalement appeléSPB80P06P G, SP000096088
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd340W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SPB80P06P G is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
- Enhancement mode
- Avalanche rated
- dv/dt Rated
- AEC-Q101 qualified
Applications
Automotive, Consumer Electronics, Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
340W
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit