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SPD30P06PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD30P06PGBTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6354
Mise en bobine50Y7849RL
Bandes découpées50Y7849
Egalement appeléSPD30P06P G, SP000441776
Votre numéro de pièce
2 936 En Stock
2 936 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,350 $ | 3,35 $ |
| Total Prix | 3,35 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,350 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,470 $ |
| 250+ | 1,320 $ |
| 500+ | 1,180 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,140 $ |
| 5000+ | 1,120 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,230 $ |
| 7500+ | 1,200 $ |
| 12500+ | 1,180 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD30P06PGBTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6354
Mise en bobine50Y7849RL
Bandes découpées50Y7849
Egalement appeléSPD30P06P G, SP000441776
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.069ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SPD30P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- dV/dt Rated
- AEC-Q101 Qualified
- Green device
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.069ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit