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SPP20N60C3XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 20.7A, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPP20N60C3XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande95W8643
Egalement appeléSPP20N60C3, SP000681058
Votre numéro de pièce
4 081 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,310 $ |
| 10+ | 3,310 $ |
| 25+ | 3,210 $ |
| 50+ | 3,090 $ |
| 100+ | 2,990 $ |
| 250+ | 2,730 $ |
| 500+ | 2,450 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,31 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPP20N60C3XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande95W8643
Egalement appeléSPP20N60C3, SP000681058
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.7A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd208W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SPP20N60C3 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with low specific on-state resistance. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
- Low gate charge (Qg)
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Easy to use
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
208W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SPP20N60C3XKSA1
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit